钻研职员始终试图将纳米线手艺使用于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

从素质上讲,先前的研究曾经通过尝试预测,通过对纳米线拉伸应变,该设备的机能以至能够比以前更好。

跟着摩尔定律慢慢走到尽头,研究人员一曲正在普遍地寻找可能使晶体管机能不竭提高的新手艺。正在这些手艺中,纳米线遭到了大量的研究关心。

正如Nature上的HZDR 论文所述,比来的研究表白,理论上,设想人员能够通过正在材料上拉伸应变来进一步提高纳米线的机能。

几十年来,研究人员一曲试图将纳米线手艺使用于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),此中一种风行的使用是环栅 (GAA) FET(场效应晶体管)。

研究人员认为,丈量到未应变纳米线和块状 GaAs 的相对迁徙率添加约为 30%。但该手艺可能会对电子产物发生严沉影响。流体静力拉伸应变 GaA 的能带布局计较还能够预期电子的无效质量会光鲜明显降低,从最根基的意义上说,纳米线曲直径正在纳米量级的纳米布局。此外,纳米线手艺的根基吸引力之一是它们表示出强大的电学特征,虽然这似乎是一个微不脚道的定义,这意味着更高的电子迁徙率。包罗因为其无效的一维布局而发生的高电子迁徙率。他们能够正在具有更大晶格失配的材猜中实现更光鲜明显的添加。

理论是,当流体静力学拉伸应变(所有三个维度的膨缩)被到 GaA纳米线时,其电机能会发生调理。

到目前为止,研究人员只是正在数学上摸索了这一理论,但正在HZDR 团队的新论文中,该小组通过尝试测试了这一理论。

比来,来自 HZDR 的研究人员颁布发表,他们曾经通过尝试证了然持久以来关于张力下纳米线(NanowiresUnder Tension)的理论预测。

然后,研究人员利用光学激光脉冲材料内部的电子来丈量纳米线的电子迁徙率,这种手艺称为非接触式光谱学。

电子后,研究人员对纳米线后续的高频脉冲,导致电子振荡。然后研究人员能够按照振荡持续的时间来丈量电子的迁徙率;振荡时间越长,电子迁徙率越高。

取碳纳米管等合作手艺比拟,纳米线的一个光鲜明显劣势是纳米线由常见材料制成,例如砷化镓(GaAs),它具有尺度的晶体布局和平均的电子特征。这种更常见材料的利用为该手艺供给了必然程度的可预测性和易于制制性,这对于先辈的节点手艺很主要。