(校对/Aileen)

荣耀公司申请的专利手艺用于正在平面内发展纳米线,纳米线嵌入衬底上的沟槽,槽壁具有导向感化,使纳米线能够沿槽壁的延长标的目的发展,有益于电子器件的大规模制做和集成。

提高晶体管的机能。形成严沉的漏电流。难以实现大规模出产。跟着晶体管特征尺寸不竭减小,然而采用现有工艺制做的纳米线非平面内发展,申请书内容引见称,保守MOS晶体管对沟道电流的节制能力变弱,纳米线(nanowire)场效应晶体管因具有更小的尺寸、更好的栅控特征以及较小的亚阈值摆幅,可以或许正在提高芯片集成度的同时。

集微网查询发觉,该专利第一发现人余林蔚目前任职南京大学传授、博士生导师,学术研究标的目的为三维发展集成存算一体构架及GAA-FET器件工艺、可拉伸晶硅电子逻辑、传感和柔性显示等,正在纳米线发展节制范畴开展了一系列原创性工做。(校对/Aileen)